国家知识产权局信息显示,英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“具有劣化检测的半导体开关”的专利,公开号CN122600959A,申请日期为2026年2月。
专利摘要显示,本公开涉及具有劣化检测的半导体开关。本文描述一种具有功率晶体管的半导体设备。功率晶体管由多个晶体管单元组成,其中功率晶体管具有两个或更多栅极电极,以允许相应的两组或更多组晶体管单元的单独切换。半导体设备还包括金属化物层,其被布置在半导体管芯上,形成功率晶体管的主电极;箝位电路,其被配置为限制功率晶体管两端的电压降;劣化检测电路,其被配置为检测金属化物层的劣化,其中劣化检测电路与第一晶体管被集成在同一半导体管芯中;以及栅极控制电路,其被配置为通过向第一晶体管的两个或更多栅极电极提供栅极信号来激活和去激活两组或更多组晶体管单元。当劣化检测电路检测到劣化并且箝位电路有效时,至少一组晶体管单元无效。
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来源:市场资讯